© ipme.ru

В результате исследований был открыт принципиально новый метод выращивания монокристаллического карбида кремния на кремнии.

На таких подложках можно: выращивать транзисторы с высокой подвижностью носителей заряда, выращивать гетероструктуру нитрида галлия для голубых лазеров, использовать их в качестве основы для квантовых компьютеров, создавать отечественные микрочипы для светодиодов, создавать сверхэффективные датчики, создавать приемники терагерцевого излучения для легочных заболеваний, и приборов после инсультной и после инфарктной терапии, создать прибор «сжигающий» избыточный сахар у людей болеющих диабетом.

Кроме того, приборы, в которых используется карбид кремния, могут работать почти до трехсот градусов Цельсия без потери полупроводниковых свойств, тогда как кремний «плывет» уже при температуре, превышающей 60 градусов Цельсия. Наконец, микросхемы на карбиде кремния могут работать в условиях высокого радиоактивного облучения, т. е. на ядерных станциях и в космосе.

читать дальше